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dc.contributor.advisorSoares, Carlos Fernando Teodósio-
dc.contributor.authorFreitas, João Pedro Gonçalves-
dc.date.accessioned2023-10-05T19:16:56Z-
dc.date.available2023-12-21T03:02:04Z-
dc.date.issued2019-03-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11422/21775-
dc.description.abstractIn this work, we present the design of a fully differential Operational Transcon- ductor Amplifier (OTA) with high linearity, based on the Folded Flipped Voltage Follower (FFVF) Topology. This structure was developed and applied on a 3a or- der low-pass Gm − C filter, based on the Chebyshev’s aproximation with a cutoff frequency of 300 kHz. Besides that, the OTA has low differential offset and it is integrated with a common mode feedback compensation circuit, to eliminate the common mode voltage at the output nodes. The project was implemented in a 0.35 μm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology and op- erates at a + −1.5 V power supply.pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Rio de Janeiropt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectAmplificador transcondutor operacionalpt_BR
dc.subjectAmplificadorpt_BR
dc.titleAmplificador operacional de transcondutâcia totalmente diferencial com alta linearidade e circuito de compensação de modo comumpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.contributor.authorLatteshttp://lattes.cnpq.br/1139402943236627pt_BR
dc.contributor.referee1Barúqui, Fernando Antônio Pinto-
dc.contributor.referee2Souza, Márcio Nogueira de-
dc.description.resumoApresenta-se, nesta dissertação, o projeto de um Operational Transconductor Amplifier (OTA) totalmente diferencial de alta linearidade, baseado na topologia de um Folded Flipped Voltage Follower. Este foi desenvolvido e aplicado em um filtro passa-baixas de 3a ordem, baseado na aproximação de Chebyshev do tipo Gm −C, com frequência de corte de 300 kHz. Além disso, o OTA possui baixo offset diferencial e é integrado a um circuito de controle de modo comum para eliminar a tensão de modo comum dos terminais de saída. O projeto foi realizado para a tecnologia Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) de 0,35 μm e as tensões de alimentação do circuito serão + −1,5 V.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentInstituto Alberto Luiz Coimbra de Pós-Graduação e Pesquisa de Engenhariapt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.publisher.initialsUFRJpt_BR
dc.subject.cnpqEngenharia Elétricapt_BR
dc.embargo.termsabertopt_BR
Appears in Collections:Engenharia Elétrica

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