1. Pantheon
  2. Trabalhos Acadêmicos e Técnicos
  3. Trabalhos de Conclusão de Curso de Graduação
  4. Engenharia Eletrônica e de Computação
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11422/7883
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dc.contributor.advisorMonteiro, Joarez Bastos-
dc.contributor.authorDuarte, Daniel Teixeira-
dc.date.accessioned2019-05-13T12:36:59Z-
dc.date.available2023-12-21T03:02:07Z-
dc.date.issued2008-03-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11422/7883-
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Rio de Janeiropt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectTransistorpt_BR
dc.subjectCurvas característicaspt_BR
dc.titleTraçador das curvas características de transistores de junção bipolar (BJT) e de efeito de campo (FET)pt_BR
dc.typeTrabalho de conclusão de graduaçãopt_BR
dc.contributor.referee1Barúqui, Fernando Antônio Pinto-
dc.contributor.referee2Martins, Ricardo Rhomberg-
dc.description.resumoO projeto do “traçador de curvas” consiste em um equipamento para traçar alguns gráficos característicos dos transistores, assim como medir alguns de seus parâmetros. Esse equipamento foi desenvolvido para suportar tanto transistores de junção bipolar, BJT, quanto transistores de efeito de campo, FET (MOSFET e JFET). O equipamento consiste de uma interface, onde será encaixado o transistor a ser testado, conectada a um computador onde será instalado um software dedicado. A comunicação entre esses dois elementos é feita através da porta serial do computador. Para os transistores bipolares, as curvas a serem traçadas serão: IC x VCE e hFE x IC, e os parâmetros a serem calculados serão: hFE, hfe, hie, hoe, gm e ro. Para os transistores de efeito de campo, a curva a ser traçada será: ID x VDS e os parâmetros a serem calculados serão: gm e ro. Essas informações são úteis para o projetista na investigação de problemas em circuitos envolvendo transistores e também ajudam na compreensão destes dispositivos por alunos iniciantes.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentEscola Politécnicapt_BR
dc.publisher.initialsUFRJpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIASpt_BR
dc.embargo.termsabertopt_BR
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