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http://hdl.handle.net/11422/9100
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | Besnard, Federico Humberto Arturo Gálvez-Durand | - |
dc.contributor.author | Brandão, Paulo Cesar Ramalho | - |
dc.date.accessioned | 2019-08-07T12:01:04Z | - |
dc.date.available | 2023-12-21T03:00:31Z | - |
dc.date.issued | 2002-11 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11422/9100 | - |
dc.language | por | pt_BR |
dc.publisher | Universidade Federal do Rio de Janeiro | pt_BR |
dc.rights | Acesso Aberto | pt_BR |
dc.subject | VLSI | pt_BR |
dc.subject | processamento de sinais | pt_BR |
dc.subject | CMOS | pt_BR |
dc.title | Implementação VLSI de um filtro passa-baixas Chebyshev de 3a ordem em modo de corrente | pt_BR |
dc.type | Trabalho de conclusão de graduação | pt_BR |
dc.contributor.referee1 | Silva Filho, Mario Vaz da | - |
dc.contributor.referee2 | Barúqui, Fernando Antônio Pinto | - |
dc.description.resumo | Este trabalho consiste no desenvolvimento em circuito integrado de um filtro passa-baixas Chebyshev de 3a ordem. Existem algumas possíveis técnicas para a implementaçãodesse filtro. Utilizou-se uma técnica de simulação de equações de estado modificadas queresulta num filtro, em que todas as variáveis de estado são representadas por correntes. Porisso este é um filtro em modo de corrente. Uma característica interessante da estruturaimplementada é a possibilidade de controle sobre a freqüência de corte do filtro.O trabalho apresenta os blocos básicos, baseados em transistores MOS (Metal-OxideSemiconductor), que são usados na implementação da estrutura, e a forma final do filtro éapresentada. O projeto dos transistores é feito a partir de considerações que levam em contaos efeitos de alguns elementos do modelo do transistor MOS, sobre a resposta em freqüênciado circuito. Dois buffers foram projetados para que se pudesse entrar com sinal no filtro emedir o resultado na saída. O leiaute de todos os componentes é apresentado, incluindo a máscara do circuito que foi enviado para fabricação.O circuito foi fabricado pela Austria Mikro System e International AG (AMS). Foi utilizado o processo CMOS (Complementary MOS) com comprimento mínimo de canal de 0,8 μm, dois metais e poço tipo N. Os resultados obtidos foram satisfatórios. A resposta em freqüência do filtro em modo de corrente ficou de acordo com o esperado e a distorção harmônica ficou em patamares aceitáveis | pt_BR |
dc.publisher.country | Brasil | pt_BR |
dc.publisher.department | Escola Politécnica | pt_BR |
dc.publisher.initials | UFRJ | pt_BR |
dc.subject.cnpq | CNPQ::ENGENHARIAS | pt_BR |
dc.embargo.terms | aberto | pt_BR |
Appears in Collections: | Engenharia Eletrônica e de Computação |
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