Use este identificador para citar ou linkar para este item: http://hdl.handle.net/11422/1126
Tipo: Patente
Título: Processo e equipamento para determinação da suscetibilidade à formação de defeitos causados pelo hidrogênio em produtos metálicos esmaltados
Depositante/Titular: Universidade Federal do Rio de Janeiro
Companhia Siderúrgica Paulista
Autor(es)/Inventor(es): Miranda, Paulo Emilio Valadão de
Santos, Dilson Silva dos
Resumo: Patente de invenção "processo e equipamento para determinação da suscetibilidade à formação de defeitos causados pelo hidrogênio em produtos metálicos esmaltados". A presente invenção é composta pelo método para qualificação de aço para esmaltagem vítrea e pelo equipamento utilizado para determinação do coeficiente de difusão do hidrogênio em aço no estado sólido. O método consiste em qualificar metalograficamente a chapa de aço e medir o coeficiente de difusão do hidrogênio em chapa nua (sem esmalte). O equipamento consiste de uma célula eletroquímica (1) de dois compartimentos (A e B), de parede dupla (2) estabilizadora da temperatura, cuja parede divisória é obtida com o corpo de prova (3) que impede contato entre a solução de hidrogenação de (A) e a solução básica de B; a instrumentação da célula (1) é composta de uma fonte geradora de sinal eletrônico (8) (potenciostato-galvanostato) incluída num conjunto (9) que incorpora um módulo de controle e amplificação de sinal para temperatura (10), tensão (11) e corrente (12), e de um computador (6) que fornece um gráfico E=f(t), determina o coeficiente de difusão e monitora o processo do ensaio.
Palavras-chave: Hidrogênio
Produtos metálicos esmaltados
Assunto CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA::METALURGIA DE TRANSFORMACAO
Departamento: Instituto Alberto Luiz Coimbra de Pós-Graduação e Pesquisa em Engenharia
Data de depósito: 29-Mai-1987
Data de publicação: 20-Dez-1988
Data de Concessão: 26-Jan-1993
País de publicação: Brasil
Idioma da publicação: por
Tipo de acesso: Acesso Aberto
N. Patente: PI 8702768-2 B1
URI: http://hdl.handle.net/11422/1126
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