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dc.contributor.advisorCosta Neto, Célio Albano da-
dc.contributor.authorSilva, Rodrigo Portavales-
dc.date.accessioned2019-05-22T12:56:48Z-
dc.date.available2023-12-21T03:02:10Z-
dc.date.issued2009-11-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11422/8052-
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Rio de Janeiropt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectCarbeto de silíciopt_BR
dc.subjectTemperaturapt_BR
dc.subjecttempo de infiltraçãopt_BR
dc.subjectCorpo-verdept_BR
dc.titleEstudo do processamento e microestrutura do carbeto de silício ligado por reaçãopt_BR
dc.typeTrabalho de conclusão de graduaçãopt_BR
dc.contributor.referee1Ogasawara, Tsuneharu-
dc.contributor.referee2Rocha, Cláudio Vasconcelos da-
dc.description.resumoNeste trabalho foram estudadas diferentes condições de processamento do carbeto de silício ligado por reação (Reaction Bonded Silicon Carbide –RBSiC). Em cada condição de processamento utilizada,um parâmetro do processo foi alterado para verificar sua influência no processo e nas características do material final. Foram analisados os seguintes parâmetros: temperatura e tempo de infiltração, tipo de coque utilizado na composição do corpo-verde, e densidade à verde. O tipo de coque utilizado se mostrou de extrema importância ao processo, para se obter um material completamente infiltrado foi observado que o coque utilizado deve ser calcinado e estar livre de voláteis. A maior densidade para o material infiltrado(2,78g/cm³) foi obtida na condição de processamento onde foi utilizado coque re-calcinado e o ciclo térmico possuía dois patamares para a infiltração do silício, um a 1450°C e outro a 1600°C, ambos com duração de 1 hora.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentEscola Politécnicapt_BR
dc.publisher.initialsUFRJpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICApt_BR
dc.embargo.termsabertopt_BR
Appears in Collections:Engenharia de Materiais

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