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Aspectos teóricos e numéricos no desenvolvimento de um simulador do modelo de deriva-difusão em semicondutores

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dc.contributor.advisorMesquita Filho, Antonio Carneiro de
dc.contributor.referee1Leão, Jorge Lopes de Souza
dc.contributor.referee2Borges, Rafael Brandão de Rezende
dc.contributor.referee3Faria, Lester Abreu
dc.creatorRibeiro, Felipe Senra
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/2354756291861890pt_BR
dc.date.accessioned2020-03-19T23:28:37Z
dc.date.available2026-05-16T03:06:15Z
dc.date.issued2018-03
dc.description.abstractThe work carried out in the dissertation refers specifically to the modeling and simulation of semiconductor devices, through numerical solutions of the diffusiondiffusion equations using the methods of finite difference, finite element and Monte Carlo. Some simulations are presented to demonstrate theoretical and numerical aspects of the area by using devices such as MOSFET and Tyristor.pt_BR
dc.description.resumoO trabalho realizado na dissertação se refere especificamente ao desenvolvimento de um simulador para dispositivos semicondutores, através de soluções numéricas das equações de deriva-difusão e Boltzmann, usando métodos de diferença finita, elemento finito e Monte Carlo. São apresentadas e discutidas algumas simulações para demonstrar aspectos teóricos e numéricos relevantes da área utilizando os dispositivos MOSFET e tiristor.pt_BR
dc.embargo.termsabertopt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11422/11558
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Rio de Janeiropt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentInstituto Alberto Luiz Coimbra de Pós-Graduação e Pesquisa de Engenhariapt_BR
dc.publisher.initialsUFRJpt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectEngenharia elétricapt_BR
dc.subjectEquações de Deriva-Difusãopt_BR
dc.subjectSistemas a parâmetros distribuídospt_BR
dc.subjectAnálise numéricapt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICApt_BR
dc.titleAspectos teóricos e numéricos no desenvolvimento de um simulador do modelo de deriva-difusão em semicondutorespt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR

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